Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 25 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение изоляции | 15000 Vrms |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Максимальный входной ток диода | 100 uA |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |