| Напряжение изоляции | 3750 Vrms |
| Тип выхода | Open Collector |
| Максимальное время задержки прохождения сигнала | 700 ns |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | Reel |
| Тип логического вентиля | IGBT Gate Driver Optocouplers |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.8 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 5 V |
| Максимальный прямой ток диода | 12 mA |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Минимальное прямое напряжение диода | 1.2 V |
