Товары по каталогам
![]() |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 550 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Корпус | PDIP-8 |
| Упаковка | Sleeve |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Максимальный непрерывный выходной ток | 100 mA |
| Максимальная длительность спада импульса | 0.5 us |
| Максимальный прямой ток диода | 25 mA |
| Максимальное время нарастания | 0.5 us |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Integrated Photo IC |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |

