Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.4 V |
| Максимальное обратное напряжение диода | 6 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 30 C |
| Корпус | PDIP-4 |
| Упаковка | Reel |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Максимальная длительность спада импульса | 10 us |
| Максимальное время нарастания | 20 us |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Коэффициент передачи по току | 400 % |
| Максимальный входной ток диода | 50 mA |
| Тип входа | DC |