Товары по каталогам

Название:   IXTK600N04T2
Производитель:   Ixys
Документация:   скачать
RoHS:   да
Описание:   Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Заказать



Характеристики:
ПродуктMOSFET Gate Drivers
ТипTrenchT2 GigaMOS
Время нарастания20 ns
Время спада250 ns
Ток питания200 A
Максимальное рассеяние мощности1250 W
Вид монтажаThrough Hole
КорпусTO-264
УпаковкаTube
Максимальное время задержки выключения90 ns
Максимальное время задержки включения40 ns
Выходной ток600 A
Выходное напряжение40 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество драйверовSingle
Количество выходов1
Коммерческое обозначениеTrenchT2 GigaMOS

Обратная связь
Оформление заявки