Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Продукт | MOSFET Gate Drivers |
| Тип | Dual Channel High Side Driver |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Напряжение питания - макс. | 15 V |
| Напряжение питания - мин. | 4.5 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 570 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | Tube |