Товары по каталогам
 |
Заказать |
Характеристики:
| Продукт | MOSFET Gate Drivers |
| Тип | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Время нарастания | 7.9 ns |
| Время спада | 15.2 ns |
| Напряжение питания - макс. | 20 V |
| Ток питания | 0.23 A |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Корпус | SOT-963 |
| Упаковка | Reel |
| Максимальное время задержки выключения | 13.4 ns |
| Максимальное время задержки включения | 3.8 ns |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество выходов | 2 |